كشفت شركة سامسونغ اليوم عن أحدث ابتكاراتها في عالم التقنية، وذلك من خلال الكشف عن شريحة ذاكرة جديدة تتميز بأعلى سعة حتى الآن مخصصة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي. الشريحة التي تحمل اسم HBM3E 12H، هي أول ذاكرة وصول عشوائي HBM3E DRAM تتكون من 12 حزمة، وتعتبر نوعاً مميزاً من ذواكر أشباه الموصلات تتيح تخزين كميات هائلة من البيانات بتكلفة منخفضة نسبياً.
وأكد يونغتشول باي، نائب الرئيس التنفيذي لتخطيط منتجات الذاكرة في سامسونغ للإلكترونيات، أهمية هذا الابتكار في تقديم تقنيات متطورة في عالم HBM وتعزيز الريادة التكنولوجية لسامسونغ في سوق ذواكر HBM عالية السعة في زمن الذكاء الاصطناعي.
وخلال مشاركتها في معرض CES 2024، أعلنت سامسونغ عن خططها الطموحة لزيادة إنتاج شرائح HBM بشكل كبير، مؤكدة أن HBM3E 12H توفر نطاق ترددي يصل إلى 1280 غيغابايت في الثانية، وتضع معايير جديدة في الصناعة بسعة 36 غيغابايت.
يأتي هذا الإعلان بعد يوم واحد فقط من الكشف عن إنتاج Micron لكميات كبيرة من HBM3E عالية السرعة، التي تُستخدم في أجهزة الكمبيوتر لمجالات مثل الذكاء الاصطناعي والرسوميات عالية الدقة.
وتسعى Micron، التي تمتلك حالياً حصة متواضعة في سوق ذواكر HBM العالمية، إلى تقليص هذه الفجوة من خلال استثمارها في منتجات الجيل القادم، HBM3e.
يُشار إلى أن شركات مثل سامسونغ وMicron وSK Hynix تعد من بين أبرز شركات تصنيع شرائح DRAM على مستوى العالم، حيث تستخدم تقنيات الذاكرة المتقدمة في العديد من الأجهزة مثل الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر، وهي تقنية لها تطبيقات مميزة في مجالات عالية الأداء كوحدات المعالجة المركزية والرسوميات.
